佳能 FPA-5500iZ+ 將 365 奈米 i 線光刻技術應用於半導體製造工藝，滿足晶圓表面圖案一致性轉移的需求。其 4:1 縮減光學系統可將光罩圖案投射到晶圓上，最大曝光區域為 26 × 33 mm。根據安裝配置的不同，該平台支援 200 毫米和 300 毫米晶圓加工。
影像定位不僅取決於光學解析度。對準性能、曝光畸變校正和可調數值孔徑都會影響不同場之間的圖案保真度。系統的光罩保護功能有助於降低光罩損壞和顆粒相關缺陷的風險，而晶圓處理則會影響重複曝光循環中的生產效率和光阻狀態。
應用領域包括功率半導體裝置、CMOS影像感測器和MEMS，在這些領域，i線光刻技術仍然適用於現有的製造流程。對於正在評估二手FPA-5500iZ+的生產線而言，晶圓尺寸配置、套刻性能、光學狀況和服務歷史都是購買前需要核實的重要因素。
